沐鸣2高速半桥栅极驱动器，具有典型的0.29A源电流和0.7A灌电流，采用DSO-8封装，用于驱动功率MOSFET和IGBT。产品型号

　　氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）正式发布第三代快速（G3

　　碳化硅MOSFETs产品系列，为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化，

　　N沟道功率MOSFET UTC1N70-LC数据手册.pdf》资料免费下载

　　75A沟槽和场阻IGBT JJT75N65HE数据手册.pdf》资料免费下载

　　60A沟槽和场阻IGBT JJT60N65UH数据手册.pdf》资料免费下载

　　60A沟槽和场阻IGBT JJT60N65HE数据手册.pdf》资料免费下载

　　50A沟槽和场阻IGBT JJT50N65UH数据手册.pdf》资料免费下载

　　40A沟槽和场阻IGBT JJT40N65UH数据手册.pdf》资料免费下载

　　10A沟槽和场阻IGBT JJT10N65SC资料文档.pdf》资料免费下载

　　近日，国内半导体功率器件领军企业扬州扬杰电子科技股份有限公司（以下简称“扬杰科技”）再度刷新业界认知，推出了一款专为光伏储能充电桩等高频应用而设计的50A

　　封装IGBT单管 /

　　-2封装，具有2个引脚，不仅增加了安规距离，提高了可靠性，而且适用于多种应用场景。

　　三相MOSFET/IGBT驱动器 /

　　龙芯2k0300先锋派开发板更新到OpenHarmony4.1，使用正点原子的ATK-MD0700R 7寸触摸屏时触摸没任何响应